Расшифровка маркировки оперативной памяти

Содержание:

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4 или наоборот?

Многие люди задаются вопросом совместимости этих двух типов оперативной памяти. Ну какая может быть совместимость DDR3 и DDR4? О чем вы вообще? Если вы посмотрите внимательно на форму самих планок ОЗУ, то вы увидите, что они немного отличаются. Каждое поколение ОЗУ (DDR, DDR2, DDR3 и DDR4) специального немного отличается от остальных. Выемка (ключ), которая расположена на стороне с контактами, на каждом типе памяти находится в разном месте, тем самым препятствуя попыткам вставить планку не в свое гнездо.

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4?

  • Вставить планку ОЗУ DDR3 в слот DDR4 нельзя!
  • Вставить планку ОЗУ DDR4 в слот DDR3 нельзя, соответственно, тоже!

Есть, правда, один нюанс. Бывает такое, что материнская плата имеет отдельные слоты под память DDR3 и под DDR4. Допустим, вы решили апгрейдить компьютер. Извлекаете память DDR3 из своих слотов и вставляете DDR4 в ДРУГИЕ слоты, в те, которые предназначены именно для оперативки DDR4. По-другому никак!

Если вы вдруг осознали, что вам не хватает ОЗУ на компьютере, то ознакомьтесь с нашими советами на этот счет в статье, которая поможет увеличить оперативную память физически и не только.

Как продлить срок службы батареи смартфона?

  1. Старайтесь не перегревать ваше устройство при просмотре фильмов и роликов, а так же играя.
  2. Не используйте смартфон во время жары и не кладите его на солнце. Так же старайтесь не переохлаждать/замораживать и не мочите смартфон.
  3. Удаляйте приложения, которые используют много энергии. Обычно сегодня в операционной системе смартфона есть специальные инструменты, которые позволяют следить за приложениями и их потребностями.
  4. Не оставляйте смартфон на зарядке на ночь!

Видео инструкция Как правильно заряжать смартфон или чего боится аккумулятор:

Спасибо за внимание, надеюсь наши советы вам помогут и вы ими воспользуетесь! Так же ждем ваши комментарии. Копирование информации с сайта greednews.su разрешено только при использовании активной гипер ссылки на новость, спасибо за то что цените наши авторские права!

Копирование информации с сайта greednews.su разрешено только при использовании активной гипер ссылки на новость, спасибо за то что цените наши авторские права!

Поделиться ссылкой:

Новости IT

Основные отличия между DDR3 и DDR4

Рассмотрим основные различия:

  • DDR3 поддерживает плотность памяти только до 8 ГБ, а DDR4 до 16 ГБ.
  • Частоты DDR4 намного выше, чем у модулей DDR3. Это делает модули DDR4 быстрее благодаря повышению скорости передачи.
  • Наименьший порог напряжения у версии DDR3 1.35 В, а у DDR4 — 1.05.
  • Модули DDR3 имеют 240 контактов, а DDR4 — 288.
  • Насечки на модулях находятся в разных местах.
  • Память DDR3 поддерживает только 8 внутренних банков памяти, а DDR4 — 16 банков.

Несмотря на преимущества нового типа памяти, разница в производительности системы с DDR3-2133 Мгц и DDR4-2133 Мгц в ряде приложений и игр составляет всего пару процентов, в то время как цена на новую платформу обойдется намного дороже.

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, как выбрать ОЗУ для компьютера, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать ОЗУ DDR5 пока не известно.

В чем отличие DDR3 и DDR3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L — это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот — нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

Вспышка при звонке на iPhone: включи и не пропускай важные звонки

Apple разработала функцию «Вспышка предупреждений» для людей с нарушениями слуха, но возможность получать визуальные сигналы вместо звуков оценили многие пользователи.

– вы не пропустите важный звонок, если использование мелодии и вибрации неуместно;

– активная LED-вспышка поможет быстрее обнаружить телефон в дамской сумочке;

– это красиво и эффектно.

– ваше устройство разряжается быстрее;

– в темноте вспышка очень яркая, что может отвлекать и раздражать вас.

Ищем раздел «Слух»

Пролистайте меню раздела «Универсальный доступ» немного вниз до категории «СЛУХ» .

Фото: Коллаж. Материал: Denys Prykhodov / Shutterstock.comВ разделе есть параметр «Вспышка предупреждений» , при стандартных настройках в режиме «Выкл». Нажимаем, ставим ползунок в активное положение – ползунок должен быть подсвечен зеленым цветом.

Фото: Коллаж. Материал: Denys Prykhodov / Shutterstock.comЕсть возможность установить вспышку и в бесшумном режиме

Опция спасет вас, если шуметь нельзя, а вы ждете важного звонка или сообщения

Все готово! Выходим из Настроек.

Проверьте, работает ли опция

LED-вспышка действует, когда iPhone заблокирован или находится в режиме сна. Свет должен мигать, даже если телефон находится в бесшумном режиме, а также если отключена вибрация. Если же устройство находится в активном режиме, тогда светового эффекта не будет.

Чтобы проверить работу вспышки, установите короткий обратный отсчет таймера или дождитесь входящего вызова или сообщения. Вспышка камеры iPhone начнет мигать одновременно с звуковыми оповещениями и вибрациями, такой сигнал невозможно проигнорировать.

Примечание: в более ранних моделях, для активации функции необходимо перезагрузить устройство.

Как отключить вспышку при звонке

Если зарядка телефона не справляется и быстро разряжается, или вам просто надоело, что ваш iPhone каждый раз мигает ярким светом при входящем вызове – отключите эту опцию. Проделайте обратную процедуру, поставьте ползунок параметра «Вспышка предупреждений» в положение выключено.

Больше интересных и полезных материалов вы сможете найти в рубрике кейсы .

Технические характеристики

Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.

DDR3

Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:

  • Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
  • Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
  • Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.

Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.

DDR4

ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.

  • Частота. Минимальное значение тактовой частоты составляет 2133 МГц, при оптимизации необходимых процессов ее можно повысить от 2800 до 3000 МГц. При выполнении разгона оборудования параметр легко увеличит до 4800 МГц.
  • Энергопотребление. Оперативная память DDR4 разрабатывалась для работы с низковольтным напряжением. Для частотного диапазона 2133 – 2400 МГц значение напряжения составляет 1,2 В, что в несколько раз снижает объем выделяемой тепловой энергии.
  • Тайминг. Латентность ОЗУ четвертой модификации для 2133 МГц составляет 15 тактов, в переводе на время задержка равна 14 нс.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как определить модель

Встроенные в Windows утилиты позволяют узнать только минимальную информацию – объем установленной памяти. Какого она типа, таким способом узнать невозможно. На помощь придет сторонний софт, выдающий полную информацию о системе – например, Everest или AIDA64.

Также тип памяти прописан в BIOS. Где именно указана эта информация и как вызвать BIOS, зависит от его модификации. В большинстве случаев достаточно удерживать кнопку Del при запуске компьютера, однако возможны исключения.

Естественно, маркировка указывается на самой оперативке, а точнее на приклеенном шильдике. Чтобы добраться до планки, придется разобрать корпус и демонтировать ее. В случае с ноутбуком эта простая задача превращается в увлекательнейший квест с просмотром подробных инструкций по разборке.

Вот, собственно, все о типах оперативки, что достаточно знать для самостоятельного подбора комплектующих. И если вы собираете игровой комп, рекомендую ознакомиться с информацией о влиянии оперативной памяти в играх.

С уважением автор блога Андрей Андреев.

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/с

Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

X

Отдо

Поддержка ECC

Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

X

естьнетне важно

Буферизованная (Регистровая) память

Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

X

естьнетне важно

Низкопрофильная

Низкопрофильная

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

X

естьнетне важно

Количество контактов

Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

X

Отдо

Число чипов на один модуль памяти

Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

X

48916183672

Напряжение, В

Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

X

Отдо

Наличие радиатора

Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

X

естьнетне важно

CAS Latency (CL), тактов

CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться

CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее

Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

X

Отдо

Упаковка чипов

Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

X

двусторонняя упаковкане указанаодносторонняя упаковка

tRCD, тактов

tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

X

Отдо

tRP, тактов

tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

X

Отдо

tRAS, тактов

tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

X

Отдо

Количество ранков

Количество ранков

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

X

1248

DDR3L. Что нового?

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной «тройке». Но есть одно существенное различие — энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная «тройка» потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули «тройки». Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. Оперативная память DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

В чём разница и какую выбрать?

Итак, разница между 1333 и 1600 – в тактовой частоте и интенсивности нагрева. Ну и, соответственно, в производительности.

Однако выбор не так прост, как кажется. Дело в том, что с релизом DDR3 контроллер оперативной памяти начал устанавливаться непосредственно в процессор. И максимальная совместимая ТЧ определяется именно этим чипом.

Так, например, процессоры Intel Core семейства Ivy Bridge показывают резкое падение производительности при переходе на 1333. Это проявляется и в вычислительных операциях с данными (архивация/разархивация), и в играх. А вот «чипы» AMD Phenom в принципе не могут работать с 1600 без разблокировки множителя.

Таким образом, выбирать оперативную память следует исходя из совместимости с планируемым (или уже имеющимся) процессором. Для семейства Intel Core лучше сразу взять высокоскоростную – риск «прогадать» минимален. А для AMD Phenom покупка 1600 может оказаться и вовсе лишней тратой средств.

Сравним типы «оперативки».

Характеристика


DDR3-1333


DDR3-1600

Тактовая частота

667 МГц

800 МГц

Фактическая скорость

1333 МТ/с

1600 МТ/с

Напряжение работы

1,5 В

1,35 В

Производительность

Выше средней

Высокая

Нагрев

Слабый

Средний, при неправильной схемотехнике – сильный

Совместимость

Практически все «чипы» AMD на сокете AM3

Практически все «чипы» Intel на сокете LGA-1155 или LGA-2011

Также стоит учесть, что скорость всех плашек памяти определяется по скорости наименьшей. То есть, если установлено, например, три штуки 1600 и одна 1333 – то максимальная скорость будет как раз 1333.

Совместимость

Может возникнуть закономерный вопрос: подойдет ли деталь, если купить не тот тип оперативки? Увы, нет. Даже чисто физически: ключи на планке и слоте у обеих типов памяти расположены в разных местах, поэтому вставить неподходящий модуль, не приложив существенных физических усилий, невозможно.

Естественно, если вы планируете апгрейд и не уверены, какой тип оперативки используется на компе, потребуется это как‐то узнать. Вариантов несколько:

  • Найти документацию на материнскую плату и посмотреть там (даже если вы покупали готовый компьютер в магазине, обычно этот документ выдается клиенту на руки);
  • Снять крышку системного блока, вынуть ОЗУ и посмотреть ее тип на приклеенном шильдике;
  • Установить специальный софт, показывающий полную информацию о компьютере – например, CPU‐Z или AIDA64.

И если вы собираетесь лепить самостоятельно работоспособный компьютер из груды деталей, рекомендую почитать про все разъемы на материнской плате – хотя они разные и совершенно непохожи, знать какой и для чего используется просто необходимо.

Из рекомендаций сегодня прозвучит только одна – берите ОЗУ DDR4, а лучше сразу две, готовым набором, чтобы активировать двухканальный режим. По поводу производителей и конкретных моделей никаких советов давать не буду, дабы не быть обвиненным в заангажированности или продажности (то, что я регулярно вспоминаю ДДР4, никакая не реклама, а один из полезных советов).

Из мест для покупки, могу порекомендовать этот популярный интернет‐магазинчик – огромный выбор, советую.

С уважением Андрей Андреев

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются «планки» DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время — это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?

CPA – что это такое?

DDR 2 и DDR 3

Основные отличия DDR 2 и DDR 3, сводятся к следующему:

  • Главной отличительной особенностью двух этих стандартов памяти, является то, что они имеют совершенно разные слоты и ввиду их наличия, является невозможным совместить их друг с другом.
  • DDR 3, располагает намного большей тактовой частотой. В новой версии она составляет 1600 МГц, а в предыдущей — всего 800 МГ.
  • В отличие от своей предыдущей версии, DDR3, имеет возможность похвастаться наличием намного большей пропускной способностью и гораздо меньшим энергопотреблением.

Действительно, в некоторых ситуациях совершенно не уместно заменять старенький DDR2, ведь в преимущественном большинстве случаев, особенно учитывая то, как значимая часть пользователей ПК, проводит свой досуг, хватит и его. В то самое время, не следовало бы забывать о том, что DDR2 и DDR3 — это совершенно разные типы оперативной памяти и ввиду наличия настолько большого количества отличительных особенностей, совершенно глупо путать их между собой. Кстати говоря, сейчас появился стандарт памяти DDR4, который также, как и все его былые аналоги, будет иметь целый перечень всевозможных отличий. При этом, стоить он будет гораздо дороже!

https://youtube.com/watch?v=Az0xXsCzk24

Визуальный осмотр оперативной памяти

Если у вас есть возможность открыть компьютер и осмотреть его комплектующие, то всю необходимую информацию вы можете получить с наклейки на модуле оперативной памяти.

Обычно на наклейке можно найти надпись с названием модуля памяти. Это название начинается с букв «PC» после которых идут цифры, и оно указывает на тип данного модуля оперативной памяти и его пропускную способность в мегабайтах за секунду (МБ/с).

Например, если на модуле памяти написано PC1600 или PC-1600, то это модуль DDR первого поколения с пропускной способностью в 1600 МБ/с. Если на модуле написано PC2‑3200, то это DDR2 с пропускной способностью в 3200 МБ/с. Если PC3 – то это DDR3 и так далее. В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения.

В некоторых случаях на модулях оперативной памяти указывается не название модуля, а тип оперативной памяти и его эффективная частота. Например, на модуле может быть написано DDR3 1600. Это означает что это модуль DDR3 c эффективной частотой памяти 1600 МГц.

Для того чтобы соотносить названия модулей с типом оперативной памяти, а пропускную способность с эффективной частотой можно использовать таблицу, которую мы приводим ниже. В левой части этой таблицы указаны названия модулей, а в правой тип оперативной памяти, который ему соответствует.

Название модуля Тип оперативной памяти
PC-1600 DDR-200
PC-2100 DDR-266
PC-2400 DDR-300
PC-2700 DDR-333
PC-3200 DDR-400
PC-3500 DDR-433
PC-3700 DDR-466
PC-4000 DDR-500
PC-4200 DDR-533
PC-5600 DDR-700
PC2-3200 DDR2-400
PC2-4200 DDR2-533
PC2-5300 DDR2-667
PC2-5400 DDR2-675
PC2-5600 DDR2-700
PC2-5700 DDR2-711
PC2-6000 DDR2-750
PC2-6400 DDR2-800
PC2-7100 DDR2-888
PC2-7200 DDR2-900
PC2-8000 DDR2-1000
PC2-8500 DDR2-1066
PC2-9200 DDR2-1150
PC2-9600 DDR2-1200
PC3-6400 DDR3-800
PC3-8500 DDR3-1066
PC3-10600 DDR3-1333
PC3-12800 DDR3-1600
PC3-14900 DDR3-1866
PC3-17000 DDR3-2133
PC3-19200 DDR3-2400
PC4-12800 DDR4-1600
PC4-14900 DDR4-1866
PC4-17000 DDR4-2133
PC4-19200 DDR4-2400
PC4-21333 DDR4-2666
PC4-23466 DDR4-2933
PC4-25600 DDR4-3200

В интернет магазинах, чаще всего, оперативная память обозначается с помощью типа памяти и эффективной частоты (например, как DDR3-1333 или DDR4-2400) поэтому, если на вашей памяти написано название модуля (например, PC3-10600 или PC4-19200), то вы можете перевести его с помощью таблицы.

CorelDRAW на Русском скачать для Windows

Полки из гипсокартона своими руками: 70+ идей для эргономики пространства

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Особенности DDR3L

DDR3L – это усовершенствованный модуль DDR3. Такие ОЗУ имеют аналогичную архитектуру.

Усовершенствованный модуль третьего поколения

Память DDR3L поддерживает систему пассивного охлаждения, поэтому такой модуль защищен от перегрева. Эта технология позволяет разогнать память и повысить быстродействие ОС. Буква L в названии означает «Low», что означает пониженное потребление энергии, если сравнивать с DDR3 (на 12%-15%, в зависимости от чипсета) и DDR2 (на 40%). Усовершенствованное ОЗУ не так сильно нагревается, благодаря чему уменьшаются тайминги.

В 2012 году на рынке появился модуль DDR3L-RS, который используется в смартфонах и планшетных ПК.

Что собой представляют DDR2 и DDR3?

Появление DDR2, вызвало огромный фурор не только у представителей крупных ИТ-компаний, но также и у пользователей, которые просто не захотели отказываться от стандартной разновидности DDR. Если сравнивать вторую версию оперативной памяти со стандартной, то следовало бы отметить то, что DDR 2, способно передавать данные по обоим срезам. Кроме этого, их разница сводится к тому, что DDR 2, имеет возможность похвастаться наличием намного более быстрой шиной. Кстати говоря, процедура передачи данных на них, может совершаться одновременно, причем сразу-же из четырех мест. Ввиду вышесказанного, мы и можем уверенно говорить о том, что скорость передачи данных DDR 2, будет в несколько раз превосходить ту, которая имеет место быть в случае с предыдущим поколением.
Кроме этого, такую оперативную память характеризуют относительно небольшим энергопотреблением и достаточно быстрым охлаждением. DDR 2 казался максимально эффективным, вплоть к тому времени, пока не стало известно об существование DDR3.

В случае с такой оперативной памятью, имеет место быть снижение напряжения питания ячеек. Создателям DDR 3, каким-то невероятным образом удалось снизить энергопотребление на целых 15 процентов. Помимо стандартных разновидностей DDR 3, на современном рынке предусмотрены и слегка модифицированные их версии. Их помечают буквой «L», которая означает, что эта модель оперативной памяти, имеет возможность похвастаться наличием еще большего показателя энергосбережения. Пропускная способность у DDR 3, значительно превышает те показатели, которые предусмотрены в случае с какими либо-предыдущими моделями оперативной памяти. Впрочем, уже сейчас DDR 3 — не может больше называться максимально эффективной разновидностью оперативной памяти, поскольку относительно недавно, о себе заявила DDR 4, которая согласно официальному заявлению компании-производителя, должна превзойти все предыдущие поколения.

Status of this Document

Разные производители

Обязательно ли покупать оперативку одного производителя?

Желательно приобретать оперативную память не просто одного бренда, а фабричные наборы из нескольких модулей. Эти устройства прошли совместное тестирование и гарантированно способны работать «в общей упряжке».

Случается, что ОЗУ одной марки и модели, купленные по отдельности, никак не могут «найти общий язык». Бывает и наоборот, когда различные по происхождению девайсы демонстрируют отличную командную работу. Как повезет, но первый вариант – скорее исключение. Чаще всего плашки разных производителей с близкими характеристиками оказываются совместимыми.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector